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삼성전자가 세계에서 최초로 양산한 GAA 반도체 구조. 사진제공=삼성전

GAA는 기존 핀펫과 달리 채널의 네 개 면에서 정보가 이동할 수 있습니다. 사진제공=삼성전자

실리콘(회색 층)과 SiGe(보라색) 층을 켜켜이, 반복적으로 성장시킨 뒤 SiGe를 제거하고 채널을 감싸는 게이트를 만들면 GAA 구조가 완성됩니다. 자료출처=구글

길쭉길쭉한 커패시터의 상부전극을 보호하는 SiGe 층. ‘셀 플레이트’라고도 부릅니다. 오른쪽 ‘메탈 컨택’ 배선을 뚫을 때 커패시터의 상부전극(TiN) 층에 균열이 갈 수 있어 SiGe 층을 꽤 두껍게 덮습니다. 자료=킬로패스

트랜지스터 속에 파묻혀서 전하의 속도 향상에 도움을 주는 임베디드(e) SiGe. 사진=구글

중국의 산업별 소재 규제. 서울경제 DB

중국의 '게르마늄' 수출 통제…삼성 3나노 파운드리·D램도 겨눌까? [강해령의 하이엔드 테크]