이정배 삼성전자 사장 '11나노급 D램·최고단수 더블스택 V낸드 개발…메모리 초격차 이끌 것'

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이정배 삼성전자 사장 '11나노급 D램·최고단수 더블스택 V낸드 개발…메모리 초격차 이끌 것' 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장. 사진제공=삼성전자
이정배 삼성전자 사장 '11나노급 D램·최고단수 더블스택 V낸드 개발…메모리 초격차 이끌 것'

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