이정배 삼성전자(005930) 메모리사업부장(사장)이 11나노급 D램, 9세대 더블스택 V낸드 개발로 기술 초격차를 이뤄내겠다고 강조했다.
이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 ”변화하는 환경 속에서 삼성전자는 고부가 제품 공급과 원가경쟁력 확보라는 상반된 두 요구사항을 모두 만족시키기 위한 메모리 사업의 방향성을 꾸준히 모색했다“며 이같이 말했다.
이 사장은 ”D램과 낸드플래시의 집적도를 극한 수준으로 높여나갈 것“이라며 ”현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것“이라고 말했다. 이어 ”9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다“고 덧붙였다.
이러한 제품 개발을 위한 새로운 구조와 소재 혁신 계획도 언급했다. D램은 3D 적층 구조와 신물질 발굴을, 낸드에선 단수를 지속 늘리면서도 높이는 줄이고, 셀 간 간섭을 최소화해 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하기 위한 연구개발을 이어가고 있다. 또한 V낸드의 입출력(I/O) 스피드를 극대화하기 위한 신구조 도입도 검토하고 있다.
고성능 D램 등 주력 제품군과 관련해선 ”CMM(CXL Memory Module) 등의 새로운 인터페이스를 적극 활용해 메모리 대역폭과 용량을 원하는 만큼 확장하는 미래를 꿈꾸고 있다“며 ”앞으로도 다년간의 양산 경험을 통해 검증된 기술력과 다양한 고객과의 파트너십을 적극 활용해 최고 성능의 고대역폭메모리(HBM)를 제공하고 향후 고객 맞춤형 HBM 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것“이라고 했다.
미래 준비를 위해 고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고 R&D 투자를 강화할 것이라고도 강조했다. 이 사장은 ”고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고 초거대 AI 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다“며 ”이와 동시에 투자는 지속하면서 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드 타임(Lead time)을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화해 나갈 것“이라고 말했다.
이 사장은 ”삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것“이라고 강조했다.
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