SK하이닉스(000660)가 주력인 D램 사업에서 2개 분기 만에 흑자 전환에 성공하면서 실적 반등의 기대를 높였다. 핵심 주력 제품인 고대역폭메모리(HBM)3 및 차세대 HBM3E는 내년 생산을 앞둔 제품이 모두 ‘솔드아웃(판매 완료)’되는 등 실적 개선을 이끄는 첨병 역할을 톡톡히 하고 있다. 3분기에 1조 원 이상의 적자 폭을 줄인 SK하이닉스는 내년 상반기로 예상되는 본격 반등에 대비해 차세대 제품에서 더욱 공격적인 투자에 나설 계획이다.
SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기에 매출 9조 662억 원, 영업손실 1조 7920억 원, 순손실 2조 1847억 원을 각각 기록했다고 26일 공시했다.
회사는 이번 분기에 지난 2분기 2조 8821억 원에 달했던 적자 폭을 1조 원 이상 크게 줄였다. 전 분기와 비교해 매출은 24% 늘었고 영업손실은 38% 감소했다. 금융 정보 업체 에프앤가이드가 집계한 증권사 영업손실 전망치 평균(컨센서스)인 1조 6402억 원을 소폭 상회했지만 업계에서는 ‘양호한 수준’이라는 반응이다.
지난해 4분기 이후 4개 분기 연속 조 단위 적자를 이어왔지만 분위기는 크게 달라졌다. SK하이닉스에 따르면 3분기에 주력인 D램은 2개 분기 만에 흑자로 전환했다. D램과 낸드 모두 판매량이 전 분기 대비 증가했다. D램의 평균판매가격(ASP)은 10%가량 상승하면서 수익성 개선 효과를 냈다.
SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적이 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다”며 “대표적인 인공지능(AI)용 메모리인 HBM3, 고용량 더블데이터레이터(DDR)5와 고성능 모바일 D램 등 주력 제품들의 판매가 호조를 보였다”고 설명했다. 업계에서는 SK하이닉스가 빠르게 실적을 개선해 4분기에 조 단위 적자에서 벗어나고 내년 상반기부터는 다시 이익을 보기 시작할 것으로 예상하고 있다. 누적된 고객사들의 재고 또한 D램을 중심으로 내년 상반기에는 정상화될 것으로 내다봤다.
실적 반등의 핵심 무기는 HBM과 DDR5를 중심으로 한 고부가 차세대 제품이다. SK하이닉스는 주력 제품인 HBM3에 이어 8월부터 차세대 제품인 HBM3E의 샘플을 고객사에 공급하고 있다.
박명수 SK하이닉스 D램 마케팅 담당(부사장)은 실적 발표 이후 열린 콘퍼런스콜에서 “HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 생산능력(캐파)이 현 시점에 이미 솔드 아웃 됐다”며 “상당수의 고객 및 잠재 고객들과 ‘프라이머리 벤더(주요 공급자)’로서 논의를 하고 있다”고 밝혔다. 이어 “양산 품질, 성능 등 SK하이닉스에 유리한 환경”이라고 자신감을 보였다. DDR5 역시 3분기부터 물량이 부족한 상황으로 접어들었다고 설명했다.
SK하이닉스는 AI 서버 시장이 향후 5년간 40% 이상 성장할 것으로 예상되는 가운데 핵심 부품인 HBM 시장이 연평균 60~80%씩 고공 성장할 것으로 예측했다.
회사는 여전히 수요 회복이 더딘 낸드의 감산 기조를 유지하는 한편 D램에서는 투자를 더욱 늘려 HBM3·DDR5 등 선단 공정으로의 전환을 가속화하겠다는 방침이다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하고 HBM과 어드밴스드 패키징 기술인 TSV의 투자를 확대하겠다는 구상을 내보였다.
김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 “HBM·DDR5 등 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해내고 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다”고 말했다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
jin@sedaily.com
