‘Slim Flash’ 공정 기술은 기존 EEPROM 공정과 동일한 특성을 유지하면서도, 임베디드되는 레이어 수를 20% 줄일 뿐 아니라, 반도체 제조 공기를 15% 앞당길 수 있어 가격 경쟁력이 높은 것이 특징이다.
임베디드 NVM(Non-Volatile Memory) EEPROM 공정은 Logic, 아날로그 및 메모리를 하나의 칩에 통합하는 공정으로, 자동차, MCU, Touch IC 및 Auto Focus IC 등 폭넓은 애플리케이션에 사용된다.
이번 매그나칩의 ‘0.13micron Slim Flash’ 공정은 소자 성능 및 수율 등의 두 항목에 대한 검증 절차가 완료되었으며, 모든 디바이스가 WLR(Wafer Level Reliability) 테스트와 SRAM 및 Standard Cell Library 신뢰성 테스트를 통과했다. 특히 고밀도 EEPROM IP의 경우, 내구성 및 데이터 보존 시험과 관련된 모든 항목을 만족시키는 것으로 나타났다.
매그나칩은 기존 0.13micron EEPROM 공정에 더해, Slim Flash 공정을 BCD, 고전압 등을 포함하는 다양한 기술과 통합해 Slim Flash 포트폴리오를 만들어 나갈 계획이다.
또한 이번 신규 기술을 바탕으로 현재 여러 고객사와 협의를 진행 중에 있으며, 몇 개 제품이 현재 개발 단계에 있는 것으로 알려졌다. ‘Slim Flash’ 공정을 통한 대량 생산은 빠르면 오는 2016년 4분기부터 시작될 것으로 예상된다.
회사 김영준 대표이사는 “매그나칩의 0.13micron Slim Flash 공정 기술 도입을 통해, 제조 공정에 들어가는 고객사의 비용과 시간을 단축시켜 줄 것”이라며,“이를 바탕으로 고객사의 전반적인 시장 출시 기간 단축에 크게 기여할 것으로 기대된다”고 말했다.
/김동호기자 dongho@sedaily.com
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