이번에 출시한 IGBT P-series(“MBW100T120PHF”)는 1200V 고전압은 물론 100A의 높은 전류 용량을 보유하고 있으며, Field-Stop Trench 기술을 적용해 1.71V의 낮은 포화전압 Vce(sat)을 달성함과 동시에 기존 제품보다 Switching loss를 개선했다. MBW100T120PHF는 설계자들로 하여금, 더 높은 스위칭 주파수로 디바이스를 가동할 수 있게 해, 회로에 필요한 커패시터 및 인덕티브 소자의 크기와 비용을 낮출 수 있다. 이는 전력 밀도는 높이고 크기와 재료비용은 더욱 낮출 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 정격 전류의 최대 4배 수준까지 동작이 가능하고, IGBT Module 스위칭 소자의 안전한 동작 영역을 뜻하는 SOA(Safe Operating Area)가 넓어, 고 전력이 필요한 산업용 애플리케이션에 적합하다. 이와 함께, 칩 내부 탑재 저항을 최적화해 여러 개 칩을 동시에 작동하게 하는 병렬 구성 설계가 가능한 것이 특징이다.
특히, 이번 MBW100T120PHF는 10kW 이상의 3상 모터 및 태양광 인버터 시스템 등과 같은 고전압 산업용 애플리케이션에서, DC-AC전원 변환 과정에서 발생하는 전력 손실을 줄여 줌으로써, 전체 시스템의 안정성과 애플리케이션의 에너지 효율성을 향상시킬 것으로 기대된다.
매그나칩 김영준 대표이사는 “1200V 고전압 및 100A의 높은 전류 용량을 보유하면서, 산업용 애플리케이션에 적합한 Power Module용 IGBT P-series 신제품을 출시하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다.”며, “이번 IGBT P-series 신제품 출시를 통해, 매그나칩의 IGBT Power 제품 포트폴리오가 더욱 확대되고, 고전압 전력 표준 제품 시장 리더로서의 명성이 한층 강화될 것으로 기대된다.“고 밝혔다.
/김동호 기자 dongho@sedaily.com
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