한국 정부가 미국 반도체법(CHIPS Act) 보조금을 받는 기업이 중국 내 반도체 생산능력을 확장할 수 있는 범위를 늘려달라고 요구했다.
현재 미국의 반도체법 가드레일에 따르면 중국 내 첨단 반도체 증산 범위는 웨이퍼 투입량 기준 10년 간 5% 이내로 묶여 있는데, 우리 정부는 최소 10% 이상 증산이 허용돼야 한다는 입장을 전달한 것으로 알려졌다.
23일(현지시간) 미국 정부 관보에 따르면 한국 정부는 미국 상무부가 지난 3월 21일 공개한 반도체법 가드레일(안전장치) 조항 세부 규정안에 대해 공식 의견을 제출했다.
한국 정부는 의견서에서 "가드레일 조항을 미국에 투자하는 기업에 부당한 부담을 주는 방식으로 이행해서는 안 된다"고 강조했다. 이어 "미국 정부가 규정안에 있는 '실질적인 확장'(material expansion)과 '범용(legacy) 반도체' 등 핵심 용어의 현재 정의를 재검토할 것을 요청한다"고 밝혔다.
외교 소식통은 이와 관련 “실질적인 확장에 대한 재검토 요청은 첨단 반도체의 증산 범위를 늘려달라는 취지”라면서 “최소 10% 이상의 증산은 허용해야 한다는 우리 측 입장을 전달했다”고 설명했다. 반도체 업계에서는 지난 10년간 100% 이상 증가한 삼성전자의 중국 내 반도체 생산량을 감안할 때 증산 범위를 5% 이내로 제한 한 것은 과도하다는 의견이 지배적이었다.
범용 반도체에 대한 재검토 요청 역시, 기술 진화 속도를 고려해 기준을 완화해달라는 것으로 보인다. 현재 미국 상무부는 △로직 반도체는 28nm(나노미터·10억분의 1m) 이상 △ D램은 18나노미터 이상 △낸드플래시는 128단 이하를 범용으로 정의하고 있다.
한국 정부는 아울러 중국의 우려 기업과 공동 연구나 기술 라이선싱(특허사용계약)을 하면 보조금을 반환해야 하는 '기술 환수'(technology clawback) 조항이 제한하는 활동의 범위를 명확히 해달라고 요청했다. 외교 소식통은 “한국 기업의 요구를 최대한 반영할 수 있도록 세부 규정을 놓고 미국 정부와 지속적으로 협의할 것”이라고 밝혔다.
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