삼성전자 반도체 기술 中 유출한 전 임원·수석 연구원 구속

삼성전자가 개발한 반도체 핵심 기술인 20나노급 D램 공정 기술 자료를 중국에 넘긴 혐의를 받는 삼성전자·SK하이닉스 전 임원인 반도체 전문가가 구속됐다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 6일 삼성전자와 SK하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 최 모(66) 씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오 모(60) 씨를 산업기술법 위반과 부정경쟁방지 및 영업비밀보호법 위반 혐의로 전날 구속했다고 밝혔다.



이들은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노 D램 반도체 기술 공정도 700여 개를 무단으로 빼돌려 중국 기업인 청두가오전의 제품 개발에 사용하게 한 혐의를 받는다. 경찰은 올 1월 오 씨에 대해 구속영장을 신청했지만 기각된 바 있다. 경찰은 이후 보완 수사를 거쳐 이번에 구속영장을 재신청했고 최 씨에 대한 영장도 같이 신청했다. 서울중앙지법은 “도망할 염려가 있다”며 영장을 발부했다.