중국 정부와 합작해 설립한 해외 반도체 제조업체에 삼성전자 20나노급 D램 핵심 반도체 기술을 빼돌린 삼성전자 전 임원과 수석연구원이 검찰에 넘겨졌다.
10일 서울경찰청 산업기술안보수사대는 ‘국가핵심 반도체 기술 유출사건’ 수사 브리핑을 열고 이날 산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반과 업무상 배임 등의 혐의로 삼성전자·하이닉스반도체(SK하이닉스) 임원 출신의 중국 청두가오전 대표 최 모(66)씨와 공정설계실장 오 모(60)씨를 검찰에 송치했다고 밝혔다. 경찰은 지난 2일 피의자 2명에 대한 구속영장을 신청했고, 법원은 5일 구속영장을 발부했다.
경찰에 따르면 최 씨는 2020년 9월 중국 지방정부와 합작으로 반도체 제조회사 청두가오전을 설립한 뒤 국내 반도체 전문인력을 대거 끌어들여 삼성 20나노급 D램 핵심 반도체 기술을 유출했다. 최 씨는 삼성전자 상무·하이닉스 반도체 부사장을 지낸 공인받는 국내 반도체 전문가로, 회사 설립 초기부터 국내 반도체 핵심 인력에게 접촉해 영입해 온 것으로 파악됐다. 오 씨는 삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원을 지낸 핵심 인력으로, 이직 이후 반도체 공정설계의 주도적인 역할을 수행했다.
최 씨는 영입한 기술자를 통해 삼성전자가 2014년 독자 개발한 20나노급 D램 반도체 핵심 공정·국가핵심기술의 반도체 공정 종합 절차서(PRP)·반도체 최종 목표규격(MTS) 등을 빼돌리고 무단으로 기술을 사용했다. 유출된 기술은 전공정 단계 600~700여 개로 확인됐다.
이를 통해 청두가오전은 2021년 1월 반도체 기술 D램 연구 및 제조 공장을 착수했고 1년 3개월여 만인 2022년 4월 시범 웨이퍼를 생산하는 데 성공했다. 통상 시범 웨이퍼 생산에 4~5년이 걸린다는 점을 감안하면 이례적으로 빠른 결과다. 삼성전자는 기술유출로 공정개발비용 4조 3000억 원 이상의 피해를 본 것으로 추산된다.
경찰은 청두가오전으로 이직한 30여 명의 임직원들도 입건해 수사 중이다. 경찰 관계자는 “청두가오전은 국내 이직 기술인력을 2~3년 동안 활용 후 사실상 해고했다”면서 “현지처우 실태에 대한 기업 협력활동도 지속적으로 확대할 계획”이라고 밝혔다.
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