후지쓰·히타치/1기가 D램 양산신기술 개발

【동경=연합】 일본 후지쓰(부사통)와 히타치(일립)제작소는 광선파장보다 짧은 미세한 반도체회로를 집적할 수 있는 기술을 새로 개발함으로써 1기가 D램 양산의 길을 열었다고 니혼게이자이(일본경제)신문이 4일 보도했다.「레벤슨 위상 시프트」로 불리는 이 기술은 반도체 회선을 묘사하는 광원의 초점심도와 해상도를 향상시킨 것으로 후지쓰는 내년 4월부터 차세대인 2백56 메가D램의 시험제작에 신기술을 채용할 계획이다.

후지쓰는 이번 기술 개발로 『1기가D램의 양산이 가능해졌다』고 밝혔는데 신기술을 사용한 2백56메가D램의 시험제작에서 채산성이 확인되는 대로 양산체제에 들어갈 전망이라고 신문은 전했다. 히타치도 2백56메가D램 양산에 이 기술을 사용할 예정이다.

그동안 반도체 업계에서는 광선 파장의 한계 이상으로 반도체의 집적도를 향상시키기 위해서는 보다 파장이 짧은 광원과 이같은 광원에 맞는 반도체 제조장치의 개발이 필요한 것으로 지적돼 왔다.