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삼성전자 반도체 사업이 내년에 본격적으로 10나노 시대를 연다. 삼성전자 부품(DS) 부문은 내년 안에 18나노미터(㎚·1㎚는 10억분의1m) D램과 10나노 핀펫 공정칩 등 누구도 이르지 못한 영역에 최초로 도달하는 초격차 전략으로 반도체 왕국의 위상을 지킬 계획이다. 고성능 통합칩 등 세계 최정상급 시스템반도체 설계역량을 입증한 제품도 내년의 기대주다.
삼성전자 DS부문은 23일까지 이틀간 권오현 DS부문장(부회장) 주재로 경기도 기흥사업장에서 글로벌 전략회의를 진행했다. 권 부회장과 김기남 반도체 총괄사장, 전영현 메모리사업부장(사장) 등 핵심 경영진과 해외법인장이 모두 참석해 내년에 양산할 신제품과 지역별 판매·마케팅 전략을 논의한 것으로 알려졌다. 회의 참석자들은 반도체연구소 측이 제시한 중기 기술 로드맵을 공유하고 효율적 개발·양산 방안에 대해서도 토론을 벌였다. 아직 상용화 시점은 멀었지만 미래 먹거리를 책임질 차세대 램 같은 제품들이다. 삼성전자 관계자는 "올해 전략회의에서는 메모리와 시스템반도체를 두 축으로 내년도에 압도적 시장 지위를 지키는 방안을 집중 논의했다"고 전했다.
관련업계에 따르면 삼성전자는 18나노 D램을 이르면 내년 상반기께 양산해 세계 최초로 10나노급 D램 시대를 연다. 20나노 D램을 가장 앞서 생산한 삼성전자는 10나노급 D램 양산도 가장 먼저 시작한다는 목표를 세웠다. 국내외 경쟁업체와의 기술격차를 1~2년 정도로 유지하는 초격차 전략으로 독보적 메모리 1강 지위를 유지한다는 것이다.
삼성전자는 이 밖에 14나노 평면 낸드플래시, 64단 3차원(3D) 낸드 같은 혁신제품 개발에 몰두하고 있다. 이 중 일부는 내년에 양산할 수 있다. 나노는 반도체 회로폭을 의미하며 숫자가 줄어들수록 성능과 생산성이 크게 향상된다.
내년에 삼성전자는 시스템반도체에서도 10나노 공정에 다다를 가능성이 높다. 관련업계는 현재 14나노 핀펫칩을 양산하고 있는 삼성전자가 이르면 내년 4·4분기부터 10나노 핀펫 공정을 적용한 시스템반도체를 양산할 수 있다고 봤다. 이 경우 인텔(14나노)·TSMC(16나노) 같은 유력 경쟁업체보다 한발 빠르다. 삼성전자의 한 관계자는 "이번 전략회의에서는 세계에서 가장 앞선 공정 기술을 바탕으로 파운드리(수탁생산) 사업에서 고객사를 늘리는 계획에 대해서도 심도 있는 검토가 있었다"고 전했다.
또 오는 2016년은 삼성 반도체 사업의 거의 유일한 숙제라는 평가를 받던 시스템반도체 설계역량 측면에서도 한 차원 진보가 기대되는 해다. 삼성은 최근 스마트폰의 두뇌라 할 모바일 애플리케이션프로세서(AP)와 통신용 모뎀칩을 하나의 칩으로 합친 고성능 통합칩 '엑시노스8옥타' 개발에 성공했다고 밝혔다. 올해 말부터 양산해 내년도 삼성 프리미엄 스마트폰에 탑재될 고성능 통합칩은 그동안 퀄컴 외에는 아무도 성공하지 못했다. 삼성의 칩 설계 기술력이 퀄컴과 비슷한 대열에 올라섰다는 얘기다.
이 밖에 삼성전자는 내년에 차세대 미래 먹거리가 될 시스템반도체 제품을 다수 쏟아낼 예정이다. 내년 상반기 중 헬스케어 웨어러블(착용형 기기)에 장착될 바이오프로세서(BP)가 처음 출시된다. 사물인터넷(IoT) 플랫폼으로 개발자들이 자유자재로 활용할 수 있는 반도체 모듈인 '아틱'도 2016년 출시가 유력하다. /이종혁기자 2juzso@sed.co.kr
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