현대전자 초미세 회로 현상장비 개발/고집적 반도체제조 필수

◎0.12미크론 가능… 4기가D램 적용현대전자(대표 정몽헌)가 0.12미크론의 초미세회로를 현상할 수 있는 반도체장비(실리레이션)를 개발했다.

현대는 28일 반도체장비전문업체인 미국의 램리서치사와 공동으로 4기가D램등 고집적반도체제조에 필수적인 0.12미크론(1미크론은 1백만분의 1미터)의 초미세회로를 현상할 수 있는 장비를 개발했다고 발표했다.

이 장비는 노광기술을 이용해 마스크(사진원판에 해당)에 새겨진 반도체회로를 웨이퍼에 현상하는 것으로 64메가D램생산시설(KrF)을 활용할 경우 차세대 4기가D램및 차세대비메모리도 제조할 수 있어 반도체생산원가도 대폭 절감할 수 있다.

현대는 이로써 현재 64메가D램생산에 이용되는 크립톤플로라이드(KrF)노광기를 이용, 통상 1기가D램(0.18미크론)까지 가능하다고 여겨졌던 회로선폭을 4기가D램급까지 향상시킬수 있게 됐다.

또 차세대 아르곤플로라이드(ArF)노광기를 이용할 경우 16기가 D램개발이 가능한 0.10미크론 회로도 형성할 수 있는 가능성도 제시했다.

4기가 D램에 적용할 수 있는 감광제를 개발한 바 있는 현대는 이번에 초미세회로현상장비도 개발함으로써 차세대고집적메모리개발경쟁에서 핵심재료와 장비의 기술력을 확보하게 됐다.

현대관계자는 『이 장비는 반도체제조에 있어 핵심장비인 실리레이션반응기와 감광막 건식식각장비를 통합한 새로운 개념의 장비로 기존의 두 장비가 분리돼 회로선폭이 고르지 못하고 재현성이 부족했던 문제를 해결했다』고 말했다.

실리레이션반응기는 감광막이 도포된 웨이퍼를 노광시켰을 때 노광부위와 비노광부위에 선택적으로 실리콘을 확산시키는 장비며, 감광막건식식각장비는 실리레이션반응기를 거쳐 나온 웨이퍼에 기체상태의 산소플라즈마를 분출시켜 회로를 현상하는 장비다.<김희중 기자>