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반도체 생산효율을 결정하는 웨이퍼 규격이 현재 300㎜에서 향후 5년 내 450㎜로 전환될 것으로 전망된다. 6일 삼성전자와 인텔, 대만의 TSMC 등 3사는 웨이퍼 규격 확대를 위해 반도체 제조와 장비 전반에 걸쳐 상호 협력하기로 신사협정을 맺었다. 3사는 이번 협정에 따라 세계 반도체 제조업체 컨소시엄인 ISMI(International Sematech Manufacturing Initiative) 주도로 450㎜ 웨이퍼 공급과 표준규격 수립, 설비 테스트 베드 확립, 2012년에 450㎜ 시험 라인 가동 등의 목표를 마련했다. 삼성전자는 세계 D램 시장 점유율 1위를 달리고 있으며 인텔은 세계 최고의 반도체 업체이다. TSMC가 위탁생산 1위 업체라는 점에서 이번 협력은 각 분야 1위 업체들이 차세대 웨이퍼 규격 표준화를 주도하며 갈수록 치열해지는 반도체 원가경쟁에서 우위를 점하겠다는 의도로 풀이된다. 웨이퍼 규격이 확대되면 웨이퍼 한장당 생산할 수 있는 칩의 개수가 많아지고 칩당 생산단가는 낮아진다. 또 전력과 각종 원자재도 효율적으로 활용할 수 있게 된다. 450㎜ 웨이퍼는 표면적이 300㎜보다 두 배 이상 크다. 동일한 공정으로 생산할 수 있는 칩도 그만큼 많아진다는 의미다. 또 개별 칩당 물 사용량과 온실가스 방출량을 줄이는 데도 크게 기여할 것으로 기대된다. 변정우 삼성전자 전무는 “450㎜ 웨이퍼로 전환하면 반도체 업계 전반에 득이 될 것”이라며 “삼성전자 등 3사뿐 아니라 다른 반도체 업체나 장비 업체들과 함께 450㎜ 생산능력을 갖추기 위해 적극적으로 협력하겠다”고 말했다.
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