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삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 반도체 업체들이 장악하고 있는 낸드플래시 시장에 대만 반도체 업체들이 눈독을 들이고 있다. 특히 이들 대만 반도체 업체는 독자기술 개발은 물론 기존 업체들과의 제휴 및 생산설비 인수 등을 통해 낸드플래시 시장 진출을 서두르고 있다. 28일 반도체 업계에 따르면 대만의 D램 업체인 프로모스는 최근 독자기술로 낸드플래시 제품 시험생산에 들어갔다. 프로모스는 200㎜ 웨이퍼 가공 공장에서 현재 130 나노미터(㎚) 공정기술을 적용해 1기가비트(Gb) 낸드플래시를 시험생산하고 있으며 시장 상황에 따라 300㎜ 웨이퍼를 이용한 60㎚ 기술로 16Gb 제품 양산에 들어갈 것으로 예상된다. 대만의 또 다른 D램 업체인 파워칩은 연초 낸드플래시 시장 철수를 선언한 일본 르네사스테크놀로지와 낸드플래시 관련 라이선스를 체결, 르네사스의 'AG-AND 플래시' 메모리에 대한 기술과 자사 브랜드로 판매할 권리를 확보했다. 파워칩은 기술 이전뿐 아니라 대만 반도체 업체인 매크로닉스(Macronix)로부터 300㎜ 웨이퍼 펩(Fab)을 인수해 월 3만5,000장의 웨이퍼를 가공할 수 있는 생산능력도 확보했다. 업계에서는 파워칩이 매크로닉스로부터 인수한 펩에서 르네사스의 기술을 적용한 플래시메모리를 양산할 것으로 내다보고 있다. 이밖에 대만 최대 D램 업체인 난야도 낸드플래시 시장 진출을 적극 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 대만 D램 업체들의 낸드플래시 시장 진출에 대해 삼성전자ㆍ하이닉스 등 국내 반도체 업체들은 아직 우려할 수준은 아니라고 못박고 있다. 이미 세계 낸드플래시 시장이 1강(삼성전자), 2중(도시바ㆍ하이닉스) 체제로 굳어진데다 대만 업체들이 선발업체들의 생산성을 쫓아오기는 어렵다는 것이다. 실제 삼성전자는 지난 7월 낸드플래시 생산공정이 60나노에 진입했고 하이닉스도 12월 60나노 공정에 들어갈 계획이다. 다만 대만 D램업체들이 D램 시장 진입 때나 LCD와 마찬가지로 노동력이 값싼 중국으로 후공정을 대거 이전하며 가격 경쟁력을 확보할 경우 8Gb 이상 고용량 제품을 제외한 범용 낸드플래시 시장에서는 어느 정도 시장을 확보할 것으로 예상된다. 또 프로모스의 계획대로 300㎜ 웨이퍼의 60나노 공정에서 안정적인 양산이 이뤄질 경우에도 D램과 마찬가지로 범용 제품 시장을 확보할 수 있을 것으로 보인다. 하이닉스의 한 관계자는 이에 대해 "대만 D램 업체들은 메이저 D램 업체들이 시장규모가 작아 포기한 분야에 뛰어들어 각각 3~7%의 점유율을 차지할 정도"라며 "낸드플래시 시장에서도 선진업체들과의 기술격차가 크기 때문에 비슷한 모습이 될 것으로 예상한다"고 말했다.
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