|
하이닉스반도체가 60나노급 공정으로는 세계 최초로 1Gb(기가비트) 모바일 D램(사진) 개발에 성공했다. 하이닉스는 12일 초미세 공정을 사용함에 따라 크기가 획기적으로 줄어들어 다양한 초소형 전자기기 및 메모리 제품에 적용이 가능한 모바일 D램을 개발했다고 밝혔다. 회사 관계자는 “데이터 저장 용량이 1Gb로 대용량일 뿐 아니라 현재까지 개발된 1Gb 모바일 D램 제품 중 크기가 가장 작고 데이터 처리 속도가 가장 빨라 시장의 요구에 최적화된 제품”이라며 “양산은 내년 1ㆍ4분기에 시작할 예정”이라고 말했다. 이 제품은 최대 200㎒(메가헤르츠)로 동작하고 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 최대 초당 1.6GB(기가바이트)가량의 데이터를 처리할 수 있다. 또 전력 소비를 최소화할 수 있도록 설계돼 많은 양의 데이터를 보다 빠르게 처리할 수 있다고 회사 측은 설명했다. 모바일 D램은 주로 휴대폰에 탑재되는 메모리로 휴대폰의 배터리 수명을 감안해 저전력으로 설계되는 것이 특징이다. 최근 휴대용 전자기기가 급속히 소형화ㆍ대용량화ㆍ고속화되고 있어 이 같은 경향에 맞춘 모바일 D램 제품에 대한 수요가 높아지고 있다. 하이닉스는 다양한 소형 메모리에 적용이 가능한 이 제품의 특성을 살려 낸드 플래시와 D램을 적층해 만든 ‘낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)’와 패키지 위에 패키지를 얹는 ‘패키지 온 패키지(PoP)’ 등 다양한 형태로 제품을 생산할 계획이다. 또 노어 멀티칩 패키지(NOR MCP) 및 시스템 인 패키지(SiP) 등의 업체에는 웨이퍼 상태로 제품을 공급할 수 있도록 ‘KGD(Known Good Die)’ 형태로도 제작하기로 했다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
