삼성전자, 3D-TSV 기술 적용한 32GB D램 모듈 개발

삼성전자는 17일 업계 최초로 3D 실리콘 관통전극(TSV)기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB D램 모듈을 개발했다고 밝혔다.

이 기술은 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체 성능을 향상시킬 수 있다.

회사의 한 관계자는 “32GB TSV 서버 모듈 제품은 차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능ㆍ저전력 특성을 확보했다”며 “향후 더욱 성능을 높인 대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린 메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것”이라고 설명했다.