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SK하이닉스와 일본 도시바가 메모리 반도체 공정 미세화를 위한 차세대 기술 공동개발을 시작한다.
SK하이닉스에 따르면 양사는 나노 임프린트 리소그래피(NIL) 기술 공동개발에 관한 본계약을 5일 체결했다. 지난해 12월 NIL 공동개발 상호 양해각서(MOU)를 맺은 지 1개월여만으로 양사는 이제 실제 개발에 착수할 예정이다. SK하이닉스·도시바 엔지니어들은 오는 4월 요코하마 소재 도시바 사업장에서 협업을 개시하며 2017년께 실제 양산 공정에 적용될 것으로 SK하이닉스측은 내다봤다.
NIL 기술은 반도체 공정 미세화가 갈수록 어려워지면서 이를 극복하기 위해 제시된 차세대 기술 중 하나로 꼽힌다. 반도체 원판인 웨이퍼에 회로를 그리는 노광 공정에 적용되며 막대한 투자가 필요한 기존 기술과 비교해 경제적 양산이 가능하다는 장점도 있다. 또다른 대안으로 여겨지는 극자외선(EUV) 노광장치보다 가격 경쟁력이 있다는 게 SK하이닉스측 설명이다.
한편 SK하이닉스와 도시바는 NIL 기술 공동개발을 결정하면서 도시바가 자사 기술을 빼갔다며 SK하이닉스를 상대로 제기한 1조원대 손해배상 민사소송을 전격 취하하기로 합의한 바 있다.
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