초미세공정 반도체 신소자 삼성전자 '타노스' 개발

초미세공정 반도체 신소자 삼성전자 '타노스' 개발 김현수 기자 hskim@sed.co.kr 삼성전자가 실리콘의 한계를 뛰어넘는 초미세공정용 반도체 신소자를 개발했다. 삼성전자는 지난 13~17일(현지시간) 미국 하와이에서 열린 ‘2006 VLSI 심포지엄’에서 40나노미터(㎚) 이하 초미세공정의 반도체 제품에 사용되는 신소자인 ‘타노스(TANOS)’를 개발했다고 발표했다. 타노스는 기존 전하기억 소자인 소노스(SONOS)의 막질 중 윗부분에 사용되는 실리콘(Si) 대신 탄탈륨나이트라이드(TaN)를 적용한 신소자로 초미세공정의 한계였던 셀(cell)간 간섭을 최소화해 40㎚ 이하의 초미세ㆍ고집적 반도체를 개발할 수 있게 됐다. 삼성전자는 타노스의 개발과 함께 2차원 소자였던 소노스를 2단으로 쌓은 3차원 구조도 개발, 셀당 4개의 데이터를 저장할 수 있는 ‘4비트 이중 소노스’ 기술도 확보했다. 삼성전자의 한 관계자는 “반도체 미세공정의 한계로 여겨져온 40㎚ 이하 메모리 미세공정 기술을 실현할 수 있는 새로운 신소자 기술을 개발해 6년 연속 이어져가고 있는 반도체 신성장론은 앞으로도 계속 실현될 것”이라고 말했다. 입력시간 : 2006/06/19 17:14