현대전자 가남 메모리연구소 준공

현대전자(대표 정몽헌)가 16일 경기도 여주군 가남면에 차세대메모리제품을 전문적으로 연구할 메모리연구소를 준공했다고 밝혔다.총 2천억원을 투자해 연면적 5천4백평에 지하 1층, 지상 3층규모로 건립한 현대전자 가남 메모리연구동은 반도체생산공정에 필수적인 마스크제작과 F(Ferroelctric)램, 실리콘이중막웨이퍼(SOI·Silicon On Insulator)등 차세대소자 및 신소재개발을 담당하게 된다.

현대는 신규메모리연구동에서 메모리반도체, 주문형반도체용마스크를 자체개발해 오는 2000년까지 약 1천6백억원의 수입대체효과를 거둔다는 전략이다.

현대는 이 연구소에서 차세대반도체소재로 기대되는 고유전, 강유전체와 이를 이용한 F램, 이중막시리콘등을 개발해 차세대 기가급소자개발에 대응할 수 있는 기반을 갖출수 있게 되었다.

데이터가 지워지지 않는 비휘발성메모리와 지워지는 휘발성메모리의 장점만을 살린 F램은 전기가 나가도 정보를 보존하며 읽기·쓰기는 물론 정보처리속도가 D램만큼 빨라 각종 정보기기에 사용되는 기존의 램과 롬을 대체할 것으로 전망되고 있는 메모리소자다.

현대는 이날 완공한 가남연구동에 무방류폐수처리시스템을 설치하는등 완벽한 오염방지시설을 갖추는등 환경보호에 각별히 신경을 썼다고 강조했다.<김희중 기자>