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삼성전자가 한 달만에 낸드플래시 나노 생산공정을 2배로 업그레이드시켰다. 삼성전자는 29일 세계 최초로 50나노급 16기가비트(Gb) 낸드플래시 양산에 돌입했다고 밝혔다. 삼성전자는 지난 3월 업계 최소 선폭인 51나노(머리카락 두께 1/2000) 기술을 적용한 8기가비트(Gb) 낸드플래시의 양산을 개시한 데 이어 한 달만에 두배 용량의 낸드 플레시를 양산하게 된 것이다. 16기가는 손톱만한 칩 안에 164억개의 트랜지스터를 집적한 것으로 32기가바이트(GB) 메모리 카드를 제작할 경우 DVD급 영화 20편 (약 32시간), MP3 파일 8,000곡 혹은 일간지 200년치 분량 저장이 가능하다. 삼성전자의 51나노 16기가 낸드플래시 양산은 업계 최소 회로 선폭을 적용했으며 55~57나노가 주류를 이루고 있는 다른 업체들의 50나노급 제품과 비교해 한 세대 앞선 공정이고 기존 60나노급 제품에 비해 60% 정도 생산성 향상이 가능하다. 삼성전자는 이번 50나노 16기가 제품 양산이 최근 낸드플래시 가격 상승세와 맞물려 반도체 부문의 수익성 개선에 매우 효자 노릇을 해낼 것으로 기대하고 있다. 이번에 양산되는 51나노 16기가 낸드플래시는 공정 미세화와 고용량화 실현은 물론, 고용량 구현은 용이하나 빠른 읽기 속도 구현이 어려웠던 기존 MLC (Multi Level Cellㆍ한 셀에 2개의 데이터를 저장) 낸드플래시의 약점을 보완했다. 기존 60나노급 낸드 플래시는 2KByte가 기본 단위로 구동된 반면 51나노 16기가 제품은 4KByte를 기본 단위로 데이터를 처리해 60나노급 낸드 플래시에 비해 읽기ㆍ쓰기 속도를 약 2배 정도 향상시켜 MLC 제품의 약점인 스피드 문제를 대폭 개선한 점이 특징이다. 한편 올해 본격화돼 내년 주력시장으로 성장할 50나노급 낸드플래시 시장은 2010년까지 누적 210억달러 규모로 성장할 것으로 예상된다.
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