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‘한국형 실리콘밸리를 꿈꾼다.’ 삼성전자가 오는 2012년까지 ‘화성 2단지’ 투자를 완료하면 경기도 기흥(43만평)과 화성(48판명)을 잇는 91만평 규모의 세계 최대 반도체 생산단지가 탄생하게 된다. 이 단지는 특히 첨단 반도체 생산라인 인근에 장비 및 재료업체 등 반도체 관련 유관산업까지 모두 집결시킬 예정이어서 용인시와 화성시에 걸쳐 웅장한 ‘한국형 실리콘밸리’의 완성을 예고하고 있다. 총 48만평 규모의 화성단지는 이미 지난 99년 정부로부터 산업단지로 지정돼 건설계획을 승인받았으며 이번에 투자를 계획하고 있는 2단지 29만평 부지에는 올해 5월 매입한 동탄부지 17만평도 포함돼 있다. 29만평 부지에는 4개 동에 걸쳐 8개 라인이 건설되며 8기가비트(Gb) 이상의 대용량 낸드플래시 등 차세대 첨단 반도체 제품을 생산한다. 삼성전자는 경기 및 시장상황 등을 고려해 단계적으로 건설해나갈 예정이다. 이를 통해 모든 투자가 마무리되면 기흥단지 내 메모리-시스템LSI(비메모리) 11개 라인과 기존 화성의 19만평에서 가동 중인 5개 메모리 라인을 합해 모두 24개의 반도체 생산라인을 확보하게 된다. 삼성전자는 새로 건설할 예정인 4개 건물 가운데 2개 건물은 현재 상용화된 12인치 웨이퍼보다 큰 16인치 또는 18인치급 대형 웨이퍼 도입을 감안해 라인 규모를 대폭 확대할 계획이다. 삼성전자는 이와 함께 차세대 나노기술 등 미래 반도체 기술의 경쟁우위 확보를 위해 차세대 12인치 나노기술 및 신공정ㆍ신물질 등 미래 반도체 기술의 연구개발을 위한 연구개발(R&D) 전용 라인(NRD 라인)도 건설한다. 이 연구개발 라인은 총 8,600억원이 투입돼 연면적 3만5,000평 규모의 초대형 복합형 반도체 연구시설로 조성되며 8개 신규 라인과 함께 화성 신규단지 29만평 부지 내에 들어선다. 이 라인이 2006년 5월부터 본격 가동되면 삼성전자는 P램ㆍF램 등의 뉴 메모리와 메모리ㆍ비메모리를 연구개발해왔던 기존의 5개 라인에 이어 총 6개의 R&D 라인을 구축하게 된다. 삼성전자의 한 관계자는 “이 연구개발 라인은 올해 개발에 성공한 50나노 기술의 차기 공정인 40나노급은 물론 차차세대 기술인 30나노급 기술개발까지 대응이 가능해 반도체업체간 나노기술 경쟁에서 우위를 확보하는 견인차 역할을 하게 될 것”이라고 말했다. 삼성전자는 아울러 이번 투자를 통해 개발되는 지역에 ‘삼성E-파크(Park)’라는 신개념의 단지 컨셉트를 도입하기로 했다. 삼성E-파크는 ▦첨단(Electronics) ▦생태환경(Eco) ▦감성(Emotion)의 개념을 적용시킨 것으로 녹지율을 30% 수준으로 늘리고 1,000평 이상의 대형 호수를 조성하는 등 친환경적인 선진형 단지로 조성할 계획이다.
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