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하이닉스반도체는 1기가비트 DDR3 제품에서 업계 최고의 성능과 저전력 특성을 구현한 2세대 제품(사진) 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 이달부터 양산이 시작된 이 제품은 기존 54나노 공정기술을 활용하면서 혁신적인 설계기술 도입으로 전력 소모를 기존 제품 대비 30%가량 줄인 것이 특징이다. 하이닉스는 설계에 있어 회로를 단순화하는 등의 방법으로 기존 동작전압인 1.5V를 유지하면서 전력 소모를 줄였다. 회사 측에 따르면 미국 내 모든 서버에 이 제품을 사용할 경우 연간 약 6억달러의 비용을 절감할 수 있다는 설명이다. 현재 DDR3 D램 중 1기가비트 제품 비중은 87% 정도다. 하이닉스는 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3 비중을 50% 이상으로 확대하는 한편 차별화된 고부가가치 제품군을 지속적으로 공급할 예정이다.
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