삼성전자, '5나노반도체' 회로기술 성공

삼성전자가 사람 머리카락 굵기의 2만4천분의 1크기(5나노미터)에 해당하는 5나노반도체 회로기술을 구현하는데 성공했다.

18일 삼성전자에 따르면 황창규 삼성전자 반도체 총괄 사장은 지난 14일 성균관대학교에서 가진 강의에서 "탄소나노튜브 등 신물질이 아닌 기존의 상보성금속산화물반도체(CMOS)를 기반으로 5나노미터의 트랜지스터 특성을 만드는 데 성공했다"고밝혔다.

이는 현재 상용화기술로 개발된 세계 최소 회로선폭인 60나노미터보다 12분의 1가량 얇은 회로선폭에서 기술을 구현한 것이다.

반도체 업계는 그동안 기준 시설이나 장비를 활용할 수 있는 CMOS기반으로는 반도체를 미세화하기가 어려워 탄소나노튜브 등 다른 신물질을 통해 극미세 회로기술을 연구해왔다.

이에 대해 업계에서는 학회 등을 통한 검증이 필요하며 집적화 문제나 양산기술확보 등에 많은 절차가 남아있어 상용화에는 많은 시간이 필요할 것이라고 밝혔다.

(서울=연합뉴스) 김지훈기자