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하이닉스반도체가 올해 투자금액을 3조500억원으로 늘린다. 이를 통해 해외 경쟁업체와의 격차를 더욱 벌려 반도체 한국의 위상을 이어간다는 전략이다. 하이닉스는 올해 시설 및 연구개발(R&D) 투자금액을 당초 2조3,000억원에서 32.6% 늘어난 3조500억원으로 확정했다고 31일 밝혔다. 하이닉스는 투자확대 배경에 대해 "견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장 환경이 변화되고 있다"며 "서버ㆍ그래픽ㆍ모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극 대응하기 위한 것"이라고 설명했다. 또 차세대 제품 개발을 위한 R&D의 투자도 늘려 기술경쟁력을 강화하려는 목적도 있다고 하이닉스는 전했다. 하이닉스는 이번 투자를 통해 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 약 15% 수준인 40나노급 제품 비중을 연말까지 50% 수준으로 확대할 계획이다. 이를 바탕으로 DDR3 같은 고부가가치 반도체 제품을 수요자들에게 적기에 공급해 수익성을 높일 방침이다. 한편 삼성전자는 이에 앞서 올해 반도체에 11조원을 투자한다고 밝힌 바 있다. 이에 따라 올해 삼성전자와 하이닉스 등 양대 회사의 반도체 투자금액은 총 14조원에 육박하게 됐다.이 같은 투자금액은 일본이나 대만 등 해외 경쟁업체보다 월등히 많다. 반도체 업계의 한 관계자는 "삼성전자와 하이닉스가 올해 반도체에서 공격적 투자에 나섬에 따라 해외 경쟁업체와의 격차는 더 크게 벌어질 것으로 보인다"며 "메모리반도체 시장에서 한국의 독주가 계속될 것으로 보인다"고 말했다.
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