하이닉스 '개발기간 대폭 단축할것'

하이닉스 "개발기간 대폭 단축할것" R&D 투자 늘려 역량 강화 이규진 기자 sky@sed.co.kr 하이닉스반도체가 연구개발(R&D) 역량 강화를 통해 메모리반도체 양산시기를 크게 앞당긴다. 하이닉스는 이를 위해 오는 2009년까지 매출액 대비 R&D 투자비를 10%까지 끌어올릴 방침이다. 하이닉스는 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2ㆍ4분기에 개발해 3ㆍ4분기부터 양산하는 등 공정기술 개발기간을 1분기 이상 단축할 예정이라고 10일 밝혔다. 44나노 1Gb DDR3의 경우 연내 개발에 착수해 내년 상반기 중 제품 개발을 마무리 지을 계획이다. 회사의 한 관계자는 “올해부터 중장기적인 R&D 역량 강화로 D램 원가절감, 개발기간 단축에 나설 것”이라며 “이를 통해 업계 수익성 1위를 탈환하겠다는 전략을 세웠다”고 설명했다. 낸드플래시의 경우 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 한꺼번에 진행해 업계 최초로 48나노 제품을 1ㆍ4분기에 개발해 2ㆍ4분기부터 양산하는 데 이어 41나노 제품도 연말에 개발할 예정이다. 이밖에 차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시할 계획이다. 회사의 한 관계자는 “지난해 매출액의 6%에 머물던 R&D 투자를 올해 8%, 2009년에는 10%로 늘려 미래기술과 경쟁력 강화에 힘쓰겠다”고 강조했다.