초고속 반도체 선점戰 가열

차세대 반도체 시장 선점을 위한 경쟁이 가속화 하고 있다.

초고속 반도체 생산을 주도하고 있는 인텔ㆍ삼성ㆍ도시바 등이 회로폭이 90나노(10억분의 1)미터인 시스템 대규모 직접회로 반도체 양산을 위해 경쟁을 벌이고 있는 가운데, 후발주자인 IBM과 AMD가 이 보다 더 정밀한 65, 45나노미터 반도체를 공동으로 개발할 계획이라고 8일 발표했다.

지금까지 반도체 생산은 130나노미터 기술을 이용하여 이루어졌으나 인텔ㆍ삼성ㆍ도시바가 올 여름 이전 90나노미터 기술을 상용화 시킬 예정이며, 후지쓰도 올 가을쯤 이 기술을 이용한 반도체 생산에 착수할 계획이다.

경쟁사에 비해 자금력에서 뒤쳐져 있는 IBM과 AMD는 이번 합작을 통해 차세대 반도체 경쟁에서는 뒤지지 않겠다는 각오다. IBM과 AMD는 향후 3년간의 합작을 통해 업계 선두주자인 인텔을 앞질러 2005년까지는 45나노미터의 차세대 반도체를 출시할 방침이다. 또 생산비용 절감을 위해 현재 업계 표준인 200밀리미터 실리콘 웨이퍼보다 50% 큰 300밀리미터 웨이퍼를 이용한 생산방식을 채택할 것으로 알려졌다.

한편 일본의 니혼게이자이신문은 9일 도시바가 오는 4월께 90나노미터 반도체 양산에 돌입함으로써 이 기술을 상용화한 첫번째 회사가 될 것이라고 예측했다.

<김대환기자 [e-mail]>