SK하이닉스, 미국에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄’ 개최

케빈 위드머 SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당 상무가 지난 18일(현지시간) 미국 산호세에서 열린 ‘2014 SK하이닉스 초고속메모리(HBM) 심포지엄’에 참여해 SK하이닉스의 주요고객 및 파트너들에게 HBM에 대해 설명하고 있다. /사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스(000660)는 지난 18일(현지시간) 미국 산호세에 위치한 미국 법인에서 주요고객 100여명이 참석한 가운데 ‘2014 SK하이닉스 초고속메모리(HBM:High Bandwidth Memory) 심포지엄’을 개최했다고 19일 밝혔다. SK하이닉스는 이번 심포지엄을 통해 중장기 HBM 로드맵을 소개함으로써 다양한 응용 분야의 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 지난해 말 실리콘관통전극(TSV:Through Silicon Via) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다.TSV는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

이번 심포지움에는 SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 그 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저(Interposer)위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.



SK하이닉스가 현재 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태로 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.