삼성전자 비메모리 대폭 강화

삼성전자가 내년까지 1조2,691억원을 투자, 경기도 기흥공장에 비메모리반 도체인 시스템 LSI라인을 새로 만든다. 삼성전자는 20일 공시를 통해 차세대 전략사업 육성을 위한 첨단 공정기술 과 제조역량의 확보차원에서 올해와 2005년에 걸쳐 시스템 LSI라인 건설에 1조2,691억원을 투자한다고 밝혔다. 삼성전자는 내년 하반기부터 새 라인의 가동에 들어가 2006년 초 기준으로 매월 7,000매의 300㎜웨이퍼를 생산할 예정이다. 웨이퍼는 300㎜(12인치)이며 0.13미크론과 90나노의 공정기술이 적용된다. 또 향후에는 65나노와45나도 기술도 추가 적용하기로 했다. 삼성전자는 이번 투자를 통해 HD-TV용 시스템온칩(SoC)과 CMOS 이미지센서 (CIS), 주문형반도체(ASIC) 등 고부가가치 제품을 집중 생산할 예정이다. 삼성전자는 또 이번 대규모 투자를 계기로 ▦경기 화성공장을 D램과 플래시 등 메모리반도체 ▦기흥공장을 비메모리반도체 전용으로 각각 만들 방침이다. 아울러 비메모리 사업을 강화하기 위해 연구개발(R&D) 인력을 기존 2,000명에서 오는 2007년까지 5,000여명으로 늘릴 계획이다. 황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 이에 앞서 “아직은 괄목할만한 성과를 거두지 못하고 있는 비메모리 부문에서도 나노기술을 바탕으로 3~4년 내에 세계 정상급으로 도약하겠다”고 강조했다.이진우기자 rain@sed.co.kr <저작권자ⓒ 한국i닷컴. 무단 전재 및 재배포 금지>