삼성전자, ‘DDR2 D램’ 본격양산

삼성전자는 세계 최초로 DDR2 D램 제품의 본격 양산에 들어간다고 24일 밝혔다. DDR2는 기존 DDR(더블데이터레이트)에 비해 속도와 용량이 두배 늘어난 제품이다.

양산 제품은

▲512메가바이트 단품

▲512메가바이트 언버퍼드 모듈(Unbuffered-DIMM)

▲1기가바이트 언버퍼드 모듈(Unbuffered-DIMM)

▲512메가바이트 레지스터드모듈(Registered-DIMM)

▲1기가바이트 레지스터드 모듈(Registered-DIMM)이다.

이들 제품에는 0.12㎛(미크론:100만분의1m)급 초미세공정 기술과 1.8V의 저전력동작기술, FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)라는 초소형 패키지 기술을 적용했다.

DDR2 D램은 현재 범용인 DDR266보다 2배 이상 빠른 533~667Mbps의 데이터 처리속도를 갖추고 있으며 1초에 한글 4,100만자 이상 처리가 가능하다.

삼성전자는 올 상반기에 노트북용 모듈(SO-DIMM)을, 연말에는 2기가바이트 모듈을 각각 출시하며 내년에는 1기가짜리 단품도 양산할 계획이다.

삼성전자 관계자는 “최근 대형 서버업체들이 DDR2를 조기에 도입하려는 발빠른 행보를 보이고 있어 올해 하반기부터 DDR2 시장이 본격 형성될 것”이라고 말했다.

시장 조사기관인 IDC는 DDR2(256메가바이트 기준)가 전체 24억개로 추산되는 D램시장에서 2004년 10%, 2006년 43%의 비중을 점하며 주력제품으로 부상할 것이라고 전망했다.

<문성진기자 [e-mail]>