차세대 메모리 'M램' 원천기술 개발

차세대 메모리인 `마그네틱 램'(M램) 개발의 최대 걸림돌이었던 높은 전력 사용량을 획기적으로 낮춘 기술이 국내 연구진에 의해개발됐다. M램은 S램 수준의 고속 정보처리, 플래시 메모리의 비휘발성, D램의 고집적화등 기존 메모리 소자들의 장점을 모두 갖춘 차세대 메모리로 미국의 IBM, 모토로라,일본의 도시바, NEC 등 선진업체들이 앞다퉈 개발에 나서고 있다. 고려대 김영근(金永根) 교수 연구팀은 11일 두가지 새로운 `비정질 강자성체'(NiFeSiB 및 CoFeSiB)를 개발, 이를 이용해 메모리를 구성하는 셀 사이의 자기저항을최소화해 전력사용량을 획기적으로 감소하는 기술을 개발했다고 밝혔다. 김 교수팀은 신소재인 비정질 강자성체를 이용해 합성형 자유층 메모리 구조를구현, 기존에 사용되던 소재(CoFe)를 사용했을 때보다 자기저항 및 전력사용량을 7분의 1수준으로 크게 낮췄다. 그동안 M램은 차세대 메모리로 각광받으면서도 메모리를 구성하는 셀과 셀 사이의 자기저항에 의한 높은 전력사용량으로 고집적화에 어려움이 따랐다. 이번 연구는 차세대 메모리로 각광받는 M램 분야의 원천기술을 확보, 앞으로도메모리 강국의 위상을 이어가는 것은 물론 오는 2012년 16조원에 이를 것으로 전망되는 세계 M램 시장을 선점할 수 있는 발판을 마련한 것으로 평가되고 있다. 김 교수는 "이번에 개발된 기술의 상용화는 앞으로 2∼3년 정도 걸릴 것"이라면서 "그러나 이번 연구를 통해 신소재 재료기술을 확보함으로써 M램 개발외에도 다양한 나노소재 분야에서 큰 파급효과가 예상된다"고 말했다. 과학기술부 테라급 나노소자개발사업단의 연구지원을 받아 이뤄진 이번 연구는미국 응용물리학회지(APL)에 오는 22일 실릴 예정이며 김 교수팀이 개발한 두가지메모리 신소재는 미국과 일본 등 해외에서 특허출원중이다. (서울=연합뉴스) 이정내 기자