[삼성전자] 초고속 4M S램 개발

이 제품은 기존 싱크로너스 방식의 한계인 250㎒에 비해 속도가 2배가량 빠른 것으로 ATM, 이더넷 등 인터넷 관련장비, 고성능PC 등에 주로 탑재될 전망이다. 또 기존 S램의 3.3V 보다 작은 2.5V의 저전압에서 작동되며, 200㎒이상의 데이터를 송수신할 수 있는 고속통신 규격인 HSTL을 지원할 수 있는 것이 특징이다.S램 반도체는 현재 1~8메가 제품이 주력을 형성하고 있으며 파워PC 등 고성능PC와 이동통신기기를 중심으로 4~16메가 등으로 시장범위가 점차 확대되고 있다.

삼성전자는 이 제품 개발로 인터넷 장비 시장에 조기에 진출할 수 있는 발판을 마련했으며 시장선점을 위해 별도의 투자없이 기존 공정을 그대로 활용, 원가수준을 기존 가격대로 맞출 예정이다.

삼성전자는 S램 분야에서 지난해 7억4,900달러의 매출(시장점유율 20.5%)을 올려 4년연속 1위를 고수하고 잇으며 올해는 8억5,000만달러의 매출을 목표로 하고 있다.

◇S램 반도체=컴퓨터 캐쉬메모리, 네트워크 버퍼 메모리, 통신기기, 이동통신기기 등에 주로 탑재되며, D램과는 달리 용량보다 속도 및 저전력이 중요한 경쟁요소로 작용한다. 특히 싱크로너스 방식의 4메가 S램 가격이 15~20달러, 16메가는 70달러선에 거래되고 있어 같은 용량의 D램보다 약 23배가 비싼 고부가가치 제품이다.

고진갑기자[e-mail]