삼성, 90나노 512Mb 모바일 D램 양산

삼성전자가 DDR, DDR2, 그래픽 D램에 이어 모바일 D램도 세계 최초로 90나노 공정을 적용, 양산에 들어갔다.

삼성전자는 이로써 현재 양산하는 모든 D램 제품군에 90나노 공정을 적용하게돼 큰 폭의 생산성 증대효과를 거둘 수 있게 됐다.

삼성전자는 10일 DDR, DDR2, 그래픽 D램의 세계 최초 90나노 제품 양산에 이어모바일 D램으로는 처음으로 90나노 공정을 적용한 512Mb 모바일 D램 양산에 돌입했다고 밝혔다.

모바일 D램은 휴대폰, 휴대용 게임기, 디지털카메라, PDA 등 모바일 기기에서메인 메모리 역할을 하는 반도체로, 초소형.저전력을 장점으로 하는 모바일 기기에최적화된 D램이라고 삼성전자는 설명했다.

현재 D램 업계는 100-110나노 공정이 주종을 이루고 있으며, 90나노를 적용할경우 110나노 대비 40%의 생산성 향상을 가져올 수 있다고 회사측은 덧붙였다.

이번에 양산되는 90나노 512Mb 모바일 D램은 초당 1.3기가바이트의 업계 최고속도와 최대 용량(512Mb)을 갖췄다.

최신 휴대폰의 고화질 3차원 그래픽과 500만 화소 이상 디지털카메라의 고화질화상을 구현하기 위해서는 초당 1기가바이트 이상의 데이터 처리 속도와 512Mb 이상의 대용량이 필수적이다.

삼성전자는 앞으로 512Mb 모바일 D램 2개를 쌓아올린 1기가바이트 모바일 D램도생산해 모바일 기기의 성능을 대폭 향상시킬 방침이다.

앞서 삼성전자는 2003년 세계 최초로 90나노 공정을 낸드플래시 양산에 적용한데 이어 지난달에는 70나노 공정 D램 개발에도 성공, 초미세 D램 공정기술을 선도하고 있다.

삼성전자 관계자는 "일반 D램보다 높은 가격 경쟁력을 갖는 그래픽 D램과 모바일 D램 등 차세대 반도체시장을 선점함으로써 차별화된 수익구조를 형성해 메모리반도체 세계 1위의 위치를 더욱 강화하겠다"고 말했다.

한편 시장조사기관인 데이터퀘스트에 따르면 모바일 D램의 최대 수요처인 고성능 3G 휴대폰 시장은 2010년까지 연평균 31.5% 성장하고, 휴대폰용 D램 시장은 연평균 125%의 폭발적 성장률을 보일 것으로 예상되고 있다.