삼성전자, 144M 램버스 D램 세계 첫 개발

삼성전자는 오는 2000년대 메모리 D램 반도체 시장의 50% 이상을 차지할 것으로 전망되는 144M 다이렉트 램버스 D램 단품 및 144M바이트급 램버스 D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다.144M 다이렉트 램버스 D램 제품은 지난 7월 출시한 72M 다이렉트 램버스 D램제품과 동일 성능이면서 용량을 배로 늘린 것으로 램버스 D램을 차세대 고속 D램으로 채용한 인텔과 컴팩, 델 등에 출하될 예정이다.

삼성은 144M 다이렉트 램버스 D램 모듈 개발로 2000년대에 메모리 D램 시장의50% 이상을 점유할 것으로 보이는 다이렉트 램버스 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다고 밝혔다.

삼성은 이 제품을 우선 샘플형태로 세계 주요 컴퓨터 업체에 출하한 뒤 내년초부터 월생산량을 10만개로, 내년 3.4분기부터는 월 1백만개로 대폭 확대할 예정이다.

램버스 D램 모듈 제품은 인텔 등 세계 최대 반도체 및 PC 업체들이 현재의 싱크로너스 D램 대신 내년 이후 차세대 초고속 D램으로 채용키로 확정한 것이다.

삼성측은 이번 개발품은 회로기판 양면에 장착할 경우 총 용량이 288M 바이트까지 확장될 수 있어 다이렉트 램버스 D램 모듈로는 최고의 집적도를 갖고 있다고말했다.

또 회로선폭 0.23㎛(1㎛은 1백만분의 1m)의 초정밀 미세가공 및 정보처리속도 900㎒-1㎓의 성능을 갖춘 세계최고의 초고속 D램으로 초당 신문지 12만8천쪽의 데이터를 처리하여 일반 범용 D램의 25배, 새로운 PC의 주기억 장치로 부상중인 PC-100용 싱크로너스 D램보다 10배 빠른 것으로 평가되고 있다.