삼성전자, 초저전력 S램 본격양산

세계 최초로 0.13㎛급 공정기술 적용

삼성전자는 세계 최초로 0.13㎛급 초미세 공정기술을 적용한 IMT-2000 및 차세대 휴대폰용 8Mb 초저전력 S램을 본격 양산한다고 5일 밝혔다.

이 제품은 8Mb의 대용량과 1㎂ 이하의 저소비전류, 1.8V에서 55ns의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖춘 것으로 인터넷 접속과 동영상 전송 등 대용량 데이터 처리를 요구하는 IMT- 2000을 비롯한 차세대 휴대폰에 탑재될 예정이다.

특히 세계 최초로 0.13㎛급 공정기술이 적용된 이번 제품은 소형화 추세인 첨단 모바일 제품에 적합하도록 제품의 크기를 기존 제품 대비 30% 축소했으며 0.15㎛급 S램 제품에 비해 생산성이 50% 이상 향상된 것이 특징이다.

삼성전자는 이번 8Mb S램에 적용된 0.13㎛급 공정기술이 경쟁사에 비해 최소 6개월 이상 앞선 것으로 3세대 휴대폰용 S램시장 공략을 위해 당초 예정보다 약 3개월 정도 양산시기를 앞당긴 것이라고 설명했다.

삼성전자는 내년에 0.10㎛, 2003년 0.08㎛급 공정기술을 적용한 S램 제품을 개발할 계획으로 경쟁업체와의 격차를 더욱 확대시킬 계획이다.

조영주기자