삼성전자, 메모리라인 증설 6.367억 투자

삼성전자가 낸드플래시 등 메모리 반도체 라인의 증설 및 공정개선을 위해 6,367억원을 투자한다.

삼성전자는 4일 경영위원회를 열고 경기도 기흥 및 화성의 반도체 사업장에 있는 낸드플래시 라인(14라인)의 증설 및 기존 D램 라인의 업그레이드를 위해 이같이 결정했다고 공시했다.

삼성전자 관계자는 “이 금액은 연초에 밝힌 올해 반도체 투자금 6조100억원의 일부로 낸드플래시 시장의 확대 등에 대응하기 위한 것”이라고 설명했다.