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인지컨트롤스, 고성능 신소자기술 도입
입력2010-06-28 14:00:54
수정
2010.06.28 14:00:54
김홍길 기자
인지컨트롤스는 한국전자통신연구원과 수직입사형 100% 게르마늄-온-실리콘 포토다이오드 버전 2 기술도입을 위한 계약을 체결했다고 28일 공시했다.
계약기간은 2015년 12월31일까지이고, 기술료는 기본착수료 10억원과 제품 매출액의 3%다.
이번 계약은 실리콘웨이퍼(silicon wafer)위에 100% 게르마늄(GermaniumㆍGe)을 고품위로 에피(epi) 성장하는 기술과, 이를 기반으로 실리콘 CMOS-호환(compatible) 공정으로 빛 신호 검출용 포토다이오드를 설계 제작하는 기술로 이루어져 있다. 실리콘(silicon)기반의 장점, 즉, 초저가, 고신뢰성, 실리콘 COMS IC와의 호환성(compatibility)과 더불어, 초고속 특성, 고응답도(responsiivity) 특성 등의 고성능 장점을 겸비하는 신소자 기술이다.
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