삼성전자 '32나노 저전력 로직 공정' 개발

삼성전자는 11일 미국 IBM 등과 공동연구를 통해 반도체 위탁생산(파운드리)을 위한 32나노 저전력 '하이-케이 메탈 게이트(HKMGㆍHigh-K Metal Gate)' 로직공정을 개발했다고 밝혔다.

HKMG 기술은 신물질을 사용해 공정이 미세화될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술이다. 이 기술은 스마트폰과 태블릿PC 등 차세대 모바일기기 개발에 중요한 역할을 할 것으로 전망된다.

삼성전자는 32나노 공정에 HKMG 기술을 적용해 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력을 30% 감소시켰다. 삼성전자는 암(ARM), 시놉시스(Synopsys) 등 지적재산권(IP), 설계 솔루션 파트너들과의 협력을 통해 IP 및 설계 프로세스 검증을 성공적으로 완료했다.

우남성 삼성전자 반도체사업부 부사장은 "32나노 HKMG 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표"라며 "모든 양산 준비를 마치고 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다"고 말했다.

한편 시장조사기관 가트너에 따르면 파운드리 시장은 지난 2009년 200억달러에서 2014년 422억달러로 연평균 16%씩 성장할 것으로 전망된다.