반도체 초미세 노광기술 개발/“4기가 D램시대 진입 청신호”

◎LG반도체·포항공대 세계 최초로… 0.13미크론급LG반도체(대표 문정환)는 21일 세계 최초로 X선을 이용해 4기가D램의 기억소자공정을 가능하게 하는 0.13㎛의 초미세패터닝노광기술을 포항공대와 공동으로 개발하는데 성공했다고 발표했다.

이 기술은 반도체회로를 웨이퍼위에 형상화시키는 반도체공정을 개발하는 핵심기술로 기존 16메가D램과 64메가 D램의 회로선폭이 0.5∼0.35㎛인데 비해 0.13㎛으로 줄인 최첨단 기술로 LG반도체보다 먼저 개발에 착수한 IBM NTT 미쓰비시등 미국과 일본의 10여개업체도 아직 개발을 끝내지 못한 분야다.

LG반도체 이희국 연구센터장은 『X선노광기술은 종전까지 천문학적인 투자비가 들어가는 관련장비와 기초기술의 부족으로 국내에서는 전혀 개발되지 않았으나 포항공대의 방사광가속기를 설치하고 지난 5월 LG반도체가 「X선노광기술연구센터」를 설립하면서 가속화돼 이번에 국내자체기술로 최첨단기술을 개발하는데 성공했다』고 설명했다.

그는 이어 『LG반도체는 당초 1단계로 올해말까지 1기가D램에 해당하는 0.18㎛의 노광기술을 확보하고 2000년까지 4기가D램에 해당하는 0.13㎛수준의 노광기술을 개발할 예정이었으나 목표했던 개발수준과 일정을 획기적으로 단축시킬수 있게 됐다』고 강조했다.

LG반도체는 오는 2003년까지 총 5백억원의 연구개발비를 투입해 4기가급 이상의 양산용노광기술을 개발할 방침이다.<김희중>