삼성전자 90나노D램 양산기술 확보

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삼성전자가 최첨단 반도체 기술에서 세계 최대 반도체 기업인 미국의 인텔을 따라 잡았다.

황창규 삼성전자 메모리담당 사장은 16일 서울 신라호텔에서 메모리 사업관련 기자간담회를 갖고, 메모리 반도체 기술에서 '마의 벽'으로 인식돼온 0.10미크론을 뛰어넘어 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 확보, 업계 최초로 2기가급 NAND(데이터저장용)형 플래시메모리 시생산에 성공했다고 발표했다.

삼성전자는 이로써 메모리는 물론 전세계 반도체 산업에 큰 영향을 줄 ' 반도체 기가 시대, 나노 시대'를 본격화했다.

특히 내년 초부터 나노급 기술을 적용한 제품 양산에 들어갈 예정이어서 세계 최대 반도체 기업인 인텔의 양산시기(내년말 예상)보다 최소 6개월 이상 앞서게 됐다.

삼성전자는 이 같은 최첨단 기술을 바탕으로 반도체 사업구조를 대변신, 주력인 메모리반도체의 매출을 2010년에 현재의 3.5배인 250억달러까지 끌어 올리기로 했다.

이 경우 비메모리 부분의 육성 작업과 병행해 앞으로 10년안에 현재 매출 규모에서 2.5배 수준인 인텔사도 외형면에서 따라잡을 수 있을 것으로 업계는 판단하고 있다.

한편 삼성전자는 "반도체 부분이 지난 2ㆍ4분기 이상의 실적을 거두면서 올 3ㆍ4분기 매출과 영업이익도 2분기보다 떨어지지 않을 것이 분명하다"고 밝혀, ▲ 매출 10조원 ▲ 영업이익 1조9,000억원 이상(본지 13일자 1면 참조)을 기록할 것임을 시사했다.

<용어설명>

■ 90나노 기술

머리카락 두께ㆍ100미크론의 1,250분의1 두께의 미세 공정 기술로, 기존 라인 설비를 최대한 활용해 최소 투자를 가능케 하는 최첨단 공정이다. 삼성은 이르면 내년 70나노급 공정 기술도 개발할 수 있을 것으로 보고 있다.

■ 2기가급 NAND형 플래시메모리

엄지손가락만한 크기의 4기가바이트급 메모리카드를 제작 가능토록 설계된 것으로, 기존 음악 CD 70장이나 영화 비디오 테입 4편의 데이터를 대체 저장할 수 있는 대용량이다.

김영기기자

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