이번에 양산에 들어간 3비트 V낸드는 삼성전자가 지난 5월부터 양산하기 시작한 2세대 V낸드에 3비트 기술을 적용한 10나노미터(nm·1nm = 10억분의 1ｍ)급 128기가비트(Gb) 제품이다.
이 제품은 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘렸다.
이에 따라 기존의 10나노급 평면구조 낸드플래시보다는 생산성이 2배 이상 향상됐다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며 수직구조의 V낸드에 적용된 것은 처음이다.
삼성전자는 기존에 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓음으로써 낸드플래시 미세공정의 한계를 극복한 V낸드를 지난해부터 유일하게 양산하고 있다.
이어 올 5월 적층구조를 24단에서 32단으로 향상시킨 2세대 V낸드를 처음 양산했으며, 이번에 3비트 V낸드의 양산 체제를 갖춤에 따라 낸드플래시 분야에서 독주체제를 강화할 것으로 예상된다.
한편 삼성전자는 3비트 V낸드 양산으로 솔리드스테이트드라이브(SSD) 라인업을 기존 프리미엄 서버용 제품에서 보급형 PC용 제품까지 대폭 늘려 V낸드 시장을 확대해 나갈 계획이라고 밝혔다.
SSD는 낸드플래시를 이용해 정보를 저장하는 차세대 저장장치로 자성물질을 이용한 기존 하드디스크드라이브(HDD)에 비해 안정성이 높고 정보처리 속도가 빨라 최근 보급이 급속히 확대되고 있다.
/디지털미디어부
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