삼성전자 D램 설비 확장에 1조원 투자

삼성전자가 반도체 설비 확장에 1조원을 투자한다.

삼성전자는 경기도 화성과 기흥에 소재한 반도체 생산라인의 공정 업그레이드와 설비증설을 위해 9,555억원을 투자한다고 14일 밝혔다.

이번 투자는 차세대 반도체 설비인 300mm 웨이퍼 공장건설(12라인)에 1조6,000억원 이상을 투입키로 한데 이은 추가 부분으로 삼성이 지난해말 밝힌 올해 전체 반도체 투자 예정액(5조5,000억원 추산)의 일부다.

삼성은 12라인에 나노 기술을 적용해 0.09미크론 이하의 첨단 제조공정을 도입, 오는 3ㆍ4분기부터 D램과 플래시메모리 양산에 들어갈 예정이다. 초기 웨이퍼 생산규모는 월 2만장이며, 연말부터 단계적으로 늘려나갈 방침이다.

삼성은 또 이번 투자액중 일부를 기흥 소재 200mm 웨이퍼 생산라인(8ㆍ9라인)을 최근 수요가 급증하는 플래시메모리 생산으로 전환하는데 사용할 예정이다.

<김영기기자 [e-mail]>