황창규 삼성전자 사장 美스탠퍼드대서 강연

“플레시메모리가 반도체산업의 차세대 주력으로 떠오를 것이다.”

삼성전자 메모리사업부 황창규 사장이 반도체산업의 발생지인 미국 스탠퍼드대학에서 삼성전자가 세계최강의 경쟁력을 확보하고 있는 플레시메모리가 주도할 반도체산업의 미래상을 펼쳐보였다.

황 사장은 13일(현지시간) 교수와 학생, 재미과학자 등 400여명을 대상으로 한 `차세대 IT산업에서 메모리반도체의 역할`이라는 주제의 강연에서 최근 개발한 70나노 4기가 플래시메모리, 80나노 512메가 D램 양산기술, 퓨전메모리, P램ㆍF램 등 차세대 메모리반도체, `RCAT(RecessChannel Array Transistor:3차원 트랜지스터 설계)` 기술 등에 대해 설명하고 패러다임의 전환기를 맞고 있는 반도체시장에서 메모리반도체의 중요성을 강조했다.

1891년에 개교한 스탠퍼드대는 실리콘밸리의 모태로 평가받고 있고 트랜지스터를 발명한 윌리엄 쇼클리가 교수로 재직한 `반도체의 메카`이다.

황 사장은 이날 강연에 앞서 짐 플러머 스탠퍼드대 공대학장, 니시 요시오 교수, 크리시나 사라스와트 교수 등과 나노기술을 비롯한 반도체 공정기술 분야에서 삼성전자와 스탠퍼드대학간의 산학협력에 대해 논의했다. 또 스탠퍼드대 네트워크기술연구센터(SNRC)도 방문, 연구진들과 미래 정보통신기술에 대해 광범위한 의견을 교환했다.

<문성진기자 [e-mail]>