하이닉스 D램 가공기술 삼성추월?

‘하이닉스반도체가 삼성전자의 반도체 초미세 가공기술을 극복했나.’ 최근 일부 언론에서 ‘하이닉스가 66나노급 D램 가공 공정기술을 확보해 시험생산에 나서며 삼성전자 기술력(70나노 공정 개발 완료, 60나노 공정 개발 중)을 추월했다’는 보도가 나왔다. 하지만 현재까지 확인된 결과만 본다면 여전히 ‘하이닉스의 도전기’일 뿐이다. 4일 하이닉스 측은 이번 보도와 관련, “66나노 공정을 작용해 1기가비트(Gb) DDR2 D램을 개발하고 있는 단계”라며 “지난 8월보다 한단계 발전했고 좋은 결과를 얻기는 했지만 아직 시생산에 돌입하지는 못했다”고 밝혔다. 기반 기술을 확보해가는 단계일 뿐 상업화 단계에 들어서려면 여러 단계의 고비를 넘겨야 한다는 이야기다. 이에 대해 삼성전자의 한 관계자는 “(하이닉스반도체의 기술개발에 대한) 구체적인 정보가 없어 뭐라 말하기 곤란하다”면서도 “채권단 관리 상황에서도 발 빠르게 기술 경쟁력을 확보하고 있는 점을 높이 평가한다”고 말했다. 그는 또 “D램 공정기술이 완전히 개발되지 않은 상태에서 사전에 외부에 유출되는 일은 극히 이례적”이라며 “좀 더 지켜봐야 할 것”이라고 덧붙였다. 한편 하이닉스반도체가 개발하고 있는 66나노 공정은 현재 D램 개발단계에서 PVT(Pre Design Verification Test)를 통과한 상황이다. PVT란 개발된 D램이 정규 전압 및 온도에서 정상적으로 작동하는지를 검증하는 테스트로 D램 개발의 초기 단계다. D램은 PVT를 거쳐 모듈 형태에서도 정상 작동하는지 여부를 판단하는 DVT(Design Verification Test)를 거친 후 시생산에서 유효한 결과를 얻었을 경우 개발이 완료된 것으로 판단한다.