[삼성전자] 반도체용 구리배선 공정기술 개발

새로 개발된 기술은 0.18㎛(1㎛는 100만분의 1m) 4층구리배선 공정기술로 기존알루미늄 배선에 비해 20%이상의 빠른 처리속도와 전력사용량을 줄일 수 있는 점이특징이다.삼성전자는 구리배선 공정기술 적용을 위해 구리의 증착, 화학 기계적 연마기술등을 자체 개발했다고 설명했다.

삼성전자는 올해 하반기에 7층 구리배선 기술을 개발, 내년중에 1.2GHZ 동작속도를 가진 알파CPU 제품을 개발할 계획이며 앞으로 비메모리반도체와 통신용반도체,네트워크 제품 등에도 확대, 적용해 나가기로 했다.【연합】