삼성전자-하이닉스 '차세대 메모리' 공동개발

이달말 공동연구 본격화

"年60억 이상 투입 2012년 시제품 생산"

삼성전자-하이닉스 '차세대 메모리' 공동개발

'STT-MRAM' 이달말 공동연구 본격화"年60억 이상 투입 2012년 시제품 생산"

이종배기자 [e-mail]

홍재원기자 [e-mail]

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삼성전자와 하이닉스가 이달 말부터 차세대 메모리 반도체인 'STT-MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic RAMㆍ스핀주입 자화반전 메모리)' 공동 연구개발(R&D)을 본격적으로 시작한다. STT-MRAM은 현재 기술적 한계로 여겨지는 30나노급 이하의 초미세 공정이 가능한 메모리로 이를 개발한 국가와 기업이 향후 메모리 시장을 주도할 것으로 예상된다.

8일 업계에 따르면 정부 주도하에 삼성전자ㆍ하이닉스ㆍ한양대가 공동으로 추진하는 STT-MRAM 개발을 위한 산학 연구사업이 이달 말부터 시작된다. 업계의 한 관계자는 "삼성전자와 하이닉스가 이 사업에 파견할 인력을 최종 확정했다"며 "3월 말부터 본격 연구에 들어갈 계획"이라고 설명했다.

이 연구 프로젝트에는 우선 삼성전자 6명, 하이닉스 6명 등 국내 양대 반도체 회사에서 12명이 참여하며 한양대 등의 연구인력까지 포함하면 최소 30~40명의 연구인력이 참여하게 된다.

STT-MRAM은 테라비트(Tb)급 메모리로 1만2,500년분의 신문기사와 1,250편의 DVD 영화를 저장할 수 있다. 현 메모리의 기술적 한계로 여겨지는 30나도급 이하의 초미세 공정이 가능한 메모리 소자로 오는 2012년께 시장이 형성되기 시작할 것으로 예측된다.

한국의 삼성전자ㆍ하이닉스는 물론 도시바ㆍIBM 등 세계적인 반도체 업체들이 STT-MRAM 개발에 뛰어들어 경쟁이 갈수록 치열해지고 있다. 지식경제부에 따르면 일본은 지난 2007년부터 정부 주도로 도시바ㆍNECㆍ후지쓰ㆍ동북대 등 산학연 컨소시엄을 구성, 개발에 착수해 2012년까지 시제품을 개발한다는 목표를 잡고 있다.

삼성전자와 하이닉스 등을 주축으로 한 국내 공동 연구진도 매년 최소 60억원의 이상의 연구개발비를 투입해 2012년까지 시제품을 선보인다는 계획을 세워놓고 있다. 업계 관계자는 "현재 대만 등 외국 메모리 반도체 회사들이 국내 반도체 기업을 앞서기 위해 많은 노력을 기울이고 있다"며 "하지만 현재 국내 메모리 반도체 업계 기술이 경쟁기업보다 6개월에서 1년 정도 앞서 있고 STT-MRAM 분야에서도 이 같은 기술격차는 유지될 것"이라고 전했다. 이 관계자는 이어 "STT-MRAM 개발은 메모리 반도체 분야에서 한국이 1위를 유지하기 위해서는 꼭 필요하다"고 설명했다.

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