0.1미크론급 회선기술 적용, 하이닉스 D램양산 성공

하이닉스반도체가 0.1미크론(1미크론=100만분의 1미터)급 회선으로 반도체를 대량생산할 수 있는 기술을 확보했다.

하이닉스는 12일 “삼성전자에 이어 세계 두번째로 0.1미크론 회선기술을 적용한 256메가 DDR D램 의 양산에 성공, 오는 7월부터 실제 생산에 들어갈 예정”이라고 밝혔다.

오민록 하이닉스 마케팅 부장은 “이번 생산기술로 D램에 대한 투자비용을 50% 줄이고, 생산량을 40%이상 늘릴 수 있게 됐다”며 “이로써 원가경쟁력을 획기적으로 낮출 수 있는 기반을 마련했다”고 설명했다.

이 회사는 이번 256메가 DDR에 이어 0.1미크론을 적용한 512메가 DDR D램 및 1기가 DDR D램의 제품을 오는 8월과 11월 각각 양산할 계획이다.

하이닉스는 또 원가부담을 낮추고 부가가치를 높이기 위해 올해 연말까지 0.13미크론 이하의 첨단공정을 약 80%로 늘리고, DDR400 제품 비중도 DDR 제품의 60% 이상으로 확대할 방침이다.

김정수 IR담당 부장은 “하이닉스는 생산설비 교체 등을 통해 내년 하반기부터 80나노(1나노=10억분의 1미터)급 반도체를 양산할 계획”이라며 “이를 위한 6,000억~7,000억원의 현금성 자산은 이미 확보했다”고 말했다.

<문성진기자 [e-mail]>