삼성전자는 6일 '3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 플래시 메모리' 양산에 들어갔다고 밝혔다. 이번 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gb) 제품이다.
이 제품에는 삼성전자의 독자 기술인 '3차원 원통형 CTF셀 구조'와 '3차원 수직적층 공정' 기술이 동시에 적용돼 기존 20나노급 제품보다 집적도가 2배 이상 높아 생산성이 대폭 향상됐다.
이 제품은 기존 낸드플래시 메모리 미세화 기술의 물리적 한계를 뛰어넘은 것이 특징이다. 최근 10나노급 공정 도입으로 셀 간 간격이 대폭 좁아지면서 전자가 누설되는 간섭현상이 심해지는 문제가 발생했다.
하지만 삼성전자는 기존에 단층으로 적용된 셀을 3차원 수직으로 쌓아 올리는 '구조혁신'과 '공정혁신'으로 이 문제를 해결했다. 삼성전자가 개발한 '3차원 원통형 CTF셀 구조' 기술은 고층빌딩처럼 수직으로 24단을 쌓는 방식이다.
이에 따라 쓰기 속도는 2배 이상 빨라지고 셀의 수명인 쓰기 횟수(내구연한)는 제품별로 최소 2배에서 최대 10배 이상으로 크게 향상됐다. 소비전력도 절반으로 줄었다.
삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장인 최정혁 전무는 "10나노급 이하 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 향후 1테라바이트(TB) 이상의 낸드플래시를 출시할 수 있는 원천기술을 확보했다"며 "낸드플래시 기술을 이끌어나갈 새로운 패러다임을 제시했다"고 말했다.
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