하이닉스, 0.18미크론 고전압 공정기술 개발

하이닉스반도체가 세계 최초로 0.18미크론(1미크론=100만분의1미터) 고전압 공정기술 개발에 성공했다고 25일 밝혔다.

이번에 개발한 기술은 LDI(LCD 구동 IC) 등 고전압을 요구하는 비메모리 반도체소자 제조에 필요한 핵심 공정기술로 기존 기술보다 칩 면적 기준으로 20~30% 축소가 가능해 휴대폰의 소형화 및 경량화에 유리하다고 하이닉스는 설명했다.

또 0.25 및 0.35미크론 공정으로는 2~3개의 칩이 필요한데 반해 이 기술을 이용하면 소스 및 게이트 드라이버, 컨트롤러, 직류전압 변환회로, 프레임 메모리(S램) 등을 단일 칩으로 구현할 수 있어 제조비용 절감도 가능하다고 덧붙였다. 하이닉스는 내달부터 이 기술을 적용한 TFT-LCD LDI 제품 양산에 들어갈 예정이다.

하이닉스 관계자는 “LDI가 LCD 패널의 폭발적인 수요 급증으로 반도체 시장의 새 수익 창출원으로 떠오르고 있다”며 “하이닉스는 이번 기술 개발로 휴대폰용 LDI 분야에서 일본 업체들을 제치고 업계 선두를 노릴 수 있게 됐다”고 말했다.

<문성진기자 [e-mail]>