삼성전자는 2일 이사회를 열고 중국 서안시 고신기술산업 개발구에 들어설 반도체 신규라인 건설을 위해 자본금 23억 달러를 출자하기로 결정했다고 밝혔다.
삼성전자는 건물 건설 등 초기 23억 달러 출자에 이어 향후 수년 간 단계적으로 총 70억 달러를 투자해 나갈 계획이다.
이번 중국 투자는 삼성전자의 해외 반도체 생산라인 단일 투자 규모로는 역대 최대 규모다. 삼성전자 관계자는 중국진출 지역으로 서안시를 택한 이유에 대해 “서안시 주변에 삼성전자의 주요 고객과 글로벌 정보기술(IT) 기업의 생산, 연구 거점이 밀집돼 있기 때문에 고객의 요청에 신속하고 효율적인 대응이 가능한데다 우수인재 유치에도 유리하다”고 설명했다.
또 서안시는 중국 정부가 추진하고 있는 서부 대개발 정책의 전략적 요충지로 특히 전기, 용수 등 산업 인프라도 잘 갖춰져 있어 반도체 생산라인 건설지역으로는 최적의 장소라는 게 삼성전자의 판단이다.
삼성전자는 연내 반도체 생산라인 건설에 착수, 2013년 말부터 10나노급 낸드 플래시를 본격 생산할 예정이다.
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