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삼성전자가 미국 오스틴 낸드 플래시 공장에 이어 중국에도 낸드 플래시 메모리 공장을 건설한다. 이를 위해 삼성전자는 최근 지식경제부에 해외 공장 건설을 위한 신청을 마친 데 이어 중국 정부와 부지 협상을 진행할 계획이다. 이에 따라 이르면 내년부터 공장 증설에 들어가며 투자규모는 최소 4조~5조원에 이를 것으로 추산된다. 삼성전자는 6일 낸드 플래시 메모리의 수요 증가에 대응하기 위해 중국에 반도체 생산 라인을 설립하기로 하고 지식경제부에 해외생산라인 설립을 위한 신청서를 제출했다고 밝혔다. 삼성전자는 중국에 건설할 반도체 라인에서 스마트폰과 태블릿 등의 급속한 확산으로 수요가 증가하고 있는 20나노급 이하 낸드 플래시 제품을 생산한다는 계획이다. 삼성전자의 이번 중국 반도체 라인 설립은 세계 메모리 반도체 시장에서 중국의 중요성이 점차 부각되는 것을 감안한 적극적인 대응 전략이다. 삼성전자의 한 관계자는 “낸드 플래시를 사용하는 다양한 IT 기기의 중국 생산 비중이 계속 증가하는 상황에서 현지생산 확대를 통해 고객 대응 스피드와 효율을 높이기 위한 차원”이라고 설명했다. 삼성전자는 정부에 설립 신청을 하는 동시에 중국 지방 정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작한다는 방침이다. 정부의 승인 절차와 중국과의 협상이 원만하게 진행될 경우 내년부터 생산라인 건설을 시작해 2013년에는 가동에 들어간다는 목표다. 전동수 삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 사장은 "빠른 기간 내에 중국 생산을 시작해 글로벌 IT업체의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가는 한편, 메모리 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라고 강조했다.
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